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MJ11032G Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 120V 50A 300W Orificio pasante TO-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MJ11032GOS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MJ11032G

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Descripción TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 120V 50A 300W Orificio pasante TO-3

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Documentos y medios
Hojas de datos MJ11028,29,30,32,33
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
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Estado de la pieza Activo
Tipo de transistor NPN - Darlington
Corriente de colector (Ic) máx. 50A
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 120V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 3.5V a 500mA, 50A
Corriente de corte del colector (máx.) 2mA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 1000 a 25A, 5V
Potencia máxima 300W
Frecuencia - Transición -
Temperatura de operación -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-204AE
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 100
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03:37:02 4/19/2019