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MGSF2N02ELT1G Canal N Montaje en superficie 20V 2.8 A (Ta) 1.25 W (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.41300 $4.13
100 0.28400 $28.40
500 0.19588 $97.94
1,000 0.14782 $147.82
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MGSF2N02ELT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 8,081
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MGSF2N02ELT1G

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Descripción MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 46 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 2.8 A (Ta) 1.25 W (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos MGSF2N02EL, MVSF2N02EL
Diseño/especificación de PCN SOT-23 Pkgs MOSFETS Copper to Gold Wire 8/Dec/2015
SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 3.6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.5nC @ 4V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 150pF @ 5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOS-ND
MGSF2N02ELT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
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23:20:46 2/15/2019