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MGSF1N02LT1G Canal N Montaje en superficie 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.44600 $4.46
100 0.30800 $30.80
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key MGSF1N02LT1GOSCT-ND
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Cantidad disponible 63,505
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

MGSF1N02LT1G

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Descripción MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos MGSF1N02L, MVGSF1N02L
Diseño/especificación de PCN SOT-23 Pkgs MOSFETS Copper to Gold Wire 8/Dec/2015
SOT23 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 750mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90mOhm a 1.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4V a 250µA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 125pF @ 5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres MGSF1N02LT1GOSCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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00:01:11 4/19/2019