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IRFM120ATF Canal N Montaje en superficie 100V 2.3 A (Ta) 2.4 W (Ta) SOT-223-4
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1 0.94000 $0.94
10 0.81900 $8.19
100 0.63170 $63.17
500 0.46794 $233.97
1,000 0.37435 $374.35

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFM120ATFCT-ND
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Cantidad disponible 29,638
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFM120ATF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 2.3 A (Ta) 2.4 W (Ta) SOT-223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFM120A
MA04A Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 1.15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 480pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.4 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRFM120ATFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRFM120ATFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
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  • Cantidad disponible: 29,638 - Inmediata
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08:12:45 12/10/2018