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HUFA76429D3 Canal N Orificio pasante 60V 20 A (Tc) 110 W (Tc) TO-251AA
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key HUFA76429D3FS-ND
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Cantidad disponible 2,403
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

HUFA76429D3

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Descripción MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 20 A (Tc) 110 W (Tc) TO-251AA

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Documentos y medios
Hojas de datos HUFA76429D3
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UltraFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 46nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1480pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,800
Otros nombres HUFA76429D3-ND
HUFA76429D3FS
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.15000 $2.15
10 1.94200 $19.42
100 1.56590 $156.59
500 1.22450 $612.25
1,000 1.01968 $1,019.68
Tarifa arancelaria aplicada ?

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02:55:04 9/24/2018