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HUF75639G3 Canal N Orificio pasante 100V 56 A (Tc) 200 W (Tc) TO-247
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.28000 $3.28
10 2.96100 $29.61
450 2.11509 $951.79
900 1.67091 $1,503.82
1,350 1.53343 $2,070.13
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key HUF75639G3FS-ND
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Cantidad disponible 361
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

HUF75639G3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 56 A (Tc) 200 W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos HUF75639G3, P3, S3, S3S
Diseño/especificación de PCN Plating Material 20/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UltraFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 56 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25 mOhm a 56 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 20V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450
Otros nombres HUF75639G3-ND
HUF75639G3FS

18:56:08 12/14/2018