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HUF75345P3 Canal N Orificio pasante 55V 75 A (Tc) 325 W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.44000 $3.44
10 3.07400 $30.74
100 2.52060 $252.06
800 1.84438 $1,475.50
1,600 1.72141 $2,754.26
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key HUF75345P3-ND
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Cantidad disponible 747
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Stock en fábrica ?: 88,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

HUF75345P3

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Descripción MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 55V 75 A (Tc) 325 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos HUF75345G3/P3/S3S
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie UltraFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 275nC @ 20V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 325 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 800

02:40:17 10/20/2018