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FQT7N10LTF Canal N Montaje en superficie 100V 1.7 A (Tc) 2 W (Tc) SOT-223-4
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1 0.64000 $0.64
10 0.54200 $5.42
100 0.40650 $40.65
500 0.29812 $149.06
1,000 0.23037 $230.37

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQT7N10LTFCT-ND
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Cantidad disponible 1,481
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQT7N10LTF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
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Plazo estándar del fabricante 21 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 1.7 A (Tc) 2 W (Tc) SOT-223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos FQT7N10L
MA04A Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 350 mOhm a 850 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQT7N10LTFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQT7N10LTFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.20392
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,481 - Inmediata
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19:28:35 11/18/2018