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FQT5P10TF Canal P Montaje en superficie 100V 1 A (Tc) 2 W (Tc) SOT-223-4
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1 0.70000 $0.70
10 0.61500 $6.15
100 0.47420 $47.42
500 0.35124 $175.62
1,000 0.28098 $280.98

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQT5P10TFCT-ND
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Cantidad disponible 10,192
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQT5P10TF

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Descripción MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 1 A (Tc) 2 W (Tc) SOT-223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos FQT5P10
MA04A Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.05 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres FQT5P10TFCT
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09:30:16 12/16/2018