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FQT4N20LTF Canal N Montaje en superficie 200V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) SOT-223-4
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10 0.51800 $5.18
25 0.48320 $12.08
100 0.35880 $35.88
500 0.28014 $140.07
1,000 0.22770 $227.70

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : FQT4N20LTFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
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  • Precio unitario: $0.21390
  • Digi-Reel®  : FQT4N20LTFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,349 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

FQT4N20LTF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FQT4N20LTFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FQT4N20LTF
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Descripción MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) SOT-223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos FQT4N20L
Información de RoHS Material Declaration FQT4N20LTF
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Modelos EDA/CAD FQT4N20LTF by SnapEDA
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 850mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.35Ohm a 425mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.2nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 310pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Número de pieza base FQT4
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres FQT4N20LTFCT