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FQPF8N60CFT Canal N Orificio pasante 600V 6.26 A (Tc) 48 W (Tc) TO-220F
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1 1.83000 $1.83
10 1.65700 $16.57
100 1.33160 $133.16
500 1.03566 $517.83
1,000 0.85811 $858.11
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF8N60CFT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQPF8N60CFT

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Descripción MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 6.26 A (Tc) 48 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FQPF8N60CF
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie FRFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 Ohm a 3.13 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1255pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 48 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • Precio unitario $2.12000
  • FQPF8N60C-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

20:11:45 10/18/2018