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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF7N65CYDTU-ND
Cantidad disponible 800
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 4,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQPF7N65CYDTU

Descripción MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 7 A (Tc) 52 W (Tc) TO-220F-3 (formación en Y)

Documentos y medios
Hojas de datos FQPF7N65C
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 3.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1245pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 52 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F-3 (formación en Y)
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores formados, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 800

02:16:22 8/14/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.58000 $2.58
10 2.33300 $23.33
100 1.87460 $187.46
500 1.45806 $729.03
1,000 1.20810 $1,208.10

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