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FQPF70N10 Canal N Orificio pasante 100V 35 A (Tc) 62 W (Tc) TO-220F
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.08000 $3.08
10 2.79400 $27.94
100 2.26510 $226.51
500 1.78508 $892.54
1,000 1.49703 $1,497.03
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF70N10-ND
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Cantidad disponible 1,978
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 14,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQPF70N10

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Descripción MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 35 A (Tc) 62 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FQPF70N10
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 35 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23 mOhm a 17.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 62 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

02:21:59 12/19/2018