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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF4N90C-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQPF4N90C

Descripción MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 900V 4 A (Tc) 47 W (Tc) TO-220F

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 960pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 47 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.2 Ohm a 2 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

09:22:27 5/20/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.73000 $1.73
10 1.53000 $15.30
100 1.20900 $120.90
500 0.93758 $468.79
1,000 0.74020 $740.20

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