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FQPF33N10L Canal N Orificio pasante 100V 18 A (Tc) 41 W (Tc) TO-220F
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF33N10LFS-ND
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Cantidad disponible 5,178
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQPF33N10L

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Descripción MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 18 A (Tc) 41 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FQPF33N10L
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 52 mOhm a 9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1630pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 41 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FQPF33N10L-ND
FQPF33N10LFS
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.62000 $1.62
10 1.43500 $14.35
100 1.13400 $113.40
500 0.87946 $439.73
1,000 0.69431 $694.31
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21:50:33 9/25/2018