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FQPF22P10 Canal P Orificio pasante 100V 13.2 A (Tc) 45 W (Tc) TO-220F
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF22P10-ND
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Cantidad disponible 1,859
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQPF22P10

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Descripción MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 100V 13.2 A (Tc) 45 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FQPF22P10
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.07000 $2.07
10 1.86900 $18.69
100 1.50180 $150.18
500 1.16806 $584.03
1,000 0.96782 $967.82

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02:33:17 9/20/2018