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FQPF10N60C Canal N Orificio pasante 600V 9.5 A (Tc) 50 W (Tc) TO-220F
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.95000 $2.95
10 2.66500 $26.65
100 2.14160 $214.16
500 1.66570 $832.85
1,000 1.38015 $1,380.15
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF10N60C-ND
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Cantidad disponible 955
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQPF10N60C

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Descripción MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 9.5 A (Tc) 50 W (Tc) TO-220F

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP10N60C, FQPF10N60C
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 730 mOhm a 4.75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2040pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

20:32:43 10/23/2018