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FQP8N80C Canal N Orificio pasante 800V 8 A (Tc) 178 W (Tc) TO-220AB
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP8N80CFS-ND
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Cantidad disponible 1,148
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP8N80C

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Descripción MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 35 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 8 A (Tc) 178 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.55 Ohm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2050pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 178 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FQP8N80C-ND
FQP8N80CFS
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.46000 $2.46
10 2.21900 $22.19
100 1.78280 $178.28
500 1.38662 $693.31
1,000 1.14891 $1,148.91
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06:52:42 9/21/2018