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FQP85N06 Canal N Orificio pasante 60V 85 A (Tc) 160 W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.20000 $3.20
10 2.85400 $28.54
100 2.34050 $234.05
500 1.89520 $947.60
1,000 1.59837 $1,598.37
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP85N06-ND
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Cantidad disponible 859
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP85N06

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Descripción MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 85 A (Tc) 160 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP85N06
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10 mOhm a 42.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 112nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4120pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 160 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

06:20:30 10/21/2018