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FQP6N80C Canal N Orificio pasante 800V 5.5 A (Tc) 158 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.25000 $2.25
10 2.03400 $20.34
100 1.63420 $163.42
500 1.27108 $635.54
1,000 1.05318 $1,053.18
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP6N80C-ND
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Cantidad disponible 652
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP6N80C

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Descripción MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 5.5 A (Tc) 158 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP(F)6N80C
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 26/June/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Description Chg 15/Feb/2016
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 Ohm a 2.75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1310pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 158 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

12:58:17 1/22/2019