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FQP5N60C Canal N Orificio pasante 600V 4.5 A (Tc) 100 W (Tc) TO-220-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.77000 $1.77
10 1.56900 $15.69
100 1.23970 $123.97
500 0.96140 $480.70
1,000 0.75900 $759.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP5N60C-ND
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Cantidad disponible 985
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP5N60C

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Descripción MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 4.5 A (Tc) 100 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP5N60C, FQPF5N60C
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 26/June/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Description Chg 15/Feb/2016
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 Ohm a 2.25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 670pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

09:30:30 12/16/2018