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FQP50N06L Canal N Orificio pasante 60V 52.4 A (Tc) 121 W (Tc) TO-220AB
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1 2.06000 $2.06
10 1.86000 $18.60
100 1.49440 $149.44
500 1.16232 $581.16
1,000 0.96306 $963.06
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP50N06L-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP50N06L

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Descripción MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 52.4 A (Tc) 121 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP50N06L
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 52.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 21 mOhm a 26.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1630pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 121 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

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