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FQP50N06 Canal N Orificio pasante 60V 50 A (Tc) 120 W (Tc) TO-220-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.83000 $1.83
10 1.62000 $16.20
100 1.28010 $128.01
500 0.99276 $496.38
1,000 0.78375 $783.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP50N06FS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP50N06

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Descripción MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 50 A (Tc) 120 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP50N06
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Description Chg 15/Feb/2016
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 22 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1540pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 120 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • RFP50N06-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FQP50N06-ND
FQP50N06FS

07:13:54 10/22/2018