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FQP3P50 Canal P Orificio pasante 500V 2.7 A (Tc) 85 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.74000 $2.74
10 2.47900 $24.79
100 1.99930 $199.93
500 1.56382 $781.91
1,000 1.30251 $1,302.51
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP3P50-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP3P50

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Descripción MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 500V 2.7 A (Tc) 85 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.9 Ohm a 1.35 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 660pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 85 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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