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FQP3N50C-F080 Canal N Orificio pasante 500V 1.8 A (Tc) 62 W (Tc) TO-220-3
Precio y compra
 

Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.51000 $1.51
10 1.34100 $13.41
100 1.05990 $105.99
500 0.82200 $411.00
1,000 0.64895 $648.95
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP3N50C-F080OS-ND
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Cantidad disponible 1,000
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 4,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP3N50C-F080

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Descripción MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 1.8 A (Tc) 62 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP3N50C, FQPF3N50C
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 Ohm a 1.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 365pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 62 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FQP3N50C-F080-ND
FQP3N50C-F080OS
FQP3N50C_F080
FQP3N50C_F080-ND

06:18:41 10/19/2018