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FQP32N20C Canal N Orificio pasante 200V 28 A (Tc) 156 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.46000 $2.46
10 2.23500 $22.35
100 1.81210 $181.21
500 1.42802 $714.01
1,000 1.19759 $1,197.59
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP32N20CFS-ND
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Cantidad disponible 28,183
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 178,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP32N20C

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Descripción MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 28 A (Tc) 156 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP(F)32N20C
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 82 mOhm a 14 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 156 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FQP32N20C-ND
FQP32N20CFS

18:49:51 11/16/2018