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FQP30N06L Canal N Orificio pasante 60V 32 A (Tc) 79W (Tc) TO-220-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.22000 $1.22
10 1.09300 $10.93
25 1.03720 $25.93
100 0.77780 $77.78
250 0.77044 $192.61
500 0.65932 $329.66
1,000 0.53708 $537.08
2,500 0.52967 $1,324.18
5,000 0.51856 $2,592.80
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FQP30N06L

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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 32 A (Tc) 79W (Tc) TO-220-3

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 35mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1040pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 79W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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