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FQP30N06 Canal N Orificio pasante 60V 30 A (Tc) 79 W (Tc) TO-220AB
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP30N06FS-ND
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Cantidad disponible 8,910
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 12,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP30N06

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Descripción MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 30 A (Tc) 79 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP30N06
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 945pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 79 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FQP30N06-ND
FQP30N06FS
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.50000 $1.50
10 1.32700 $13.27
100 1.05610 $105.61
500 0.82718 $413.59
1,000 0.66065 $660.65
Tarifa arancelaria aplicada ?

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04:28:52 9/26/2018