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FQP30N06 Canal N Orificio pasante 60V 30 A (Tc) 79W (Tc) TO-220-3
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.19000 $1.19
10 1.06800 $10.68
25 1.01360 $25.34
100 0.76020 $76.02
250 0.75296 $188.24
500 0.64436 $322.18
1,000 0.52490 $524.90
2,500 0.51766 $1,294.15
5,000 0.50680 $2,534.00
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FQP30N06

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FQP30N06FS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FQP30N06
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Descripción MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 30 A (Tc) 79W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP30N06
TO220B03 Pkg Drawing
Información de RoHS Material Declaration FQP30N06
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN MFG Site Addition 09/Mar/2020
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Hoja de datos de HTML TO220B03 Pkg Drawing
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 945pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 79W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Número de pieza base FQP3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar 1,000
Otros nombres FQP30N06-ND
FQP30N06FS