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FQP30N06 Canal N Orificio pasante 60V 30 A (Tc) 79 W (Tc) TO-220AB
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1 1.42000 $1.42
10 1.26700 $12.67
100 1.00820 $100.82
500 0.78916 $394.58
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP30N06FS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP30N06

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Descripción MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 30 A (Tc) 79 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 945pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 79 W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • 993-1342-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres FQP30N06-ND
FQP30N06FS

13:46:50 3/26/2019