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FQP27P06 Canal P Orificio pasante 60V 27 A (Tc) 120 W (Tc) TO-220-3
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1 1.94000 $1.94
10 1.72400 $17.24
100 1.37250 $137.25
500 1.07432 $537.16
1,000 0.85747 $857.47
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP27P06-ND
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Cantidad disponible 16,777
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP27P06

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Descripción MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 60V 27 A (Tc) 120 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP27P06
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assembly/Mold Chg 20/Mar/2019
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 13.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 120 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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09:33:17 3/22/2019