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FQP27P06 Canal P Orificio pasante 60V 27 A (Tc) 120W (Tc) TO-220-3
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.41000 $1.41
10 1.25800 $12.58
25 1.19360 $29.84
100 0.89520 $89.52
250 0.88672 $221.68
500 0.75882 $379.41
1,000 0.61814 $618.14
2,500 0.60961 $1,524.02
5,000 0.59682 $2,984.10
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FQP27P06

Hoja de datos
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Fabricante

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Descripción MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 60V 27 A (Tc) 120W (Tc) TO-220-3

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70mOhm a 13.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 120W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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