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FQP22N30 Canal N Orificio pasante 300V 21 A (Tc) 170 W (Tc) TO-220-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.05000 $3.05
10 2.75800 $27.58
100 2.21660 $221.66
500 1.72404 $862.02
1,000 1.42848 $1,428.48
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP22N30-ND
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Cantidad disponible 1,265
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Stock en fábrica ?: 16,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP22N30

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Descripción MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 300V 21 A (Tc) 170 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP22N30
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 300V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160 mOhm a 10.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

09:41:19 10/22/2018