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FQP13N50C Canal N Orificio pasante 500V 13 A (Tc) 195 W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.74000 $2.74
10 2.47800 $24.78
100 1.99110 $199.11
500 1.54866 $774.33
1,000 1.28318 $1,283.18
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP13N50C-ND
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Cantidad disponible 957
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP13N50C

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Descripción MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 13 A (Tc) 195 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP13N50C, FQPF13N50C
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 14/May/2008
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 480 mOhm a 6.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2055pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 195 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

09:13:14 12/12/2018