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FQP12N60C Canal N Orificio pasante 600V 12 A (Tc) 225 W (Tc) TO-220-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.03000 $3.03
10 2.73500 $27.35
100 2.19780 $219.78
500 1.70940 $854.70
1,000 1.41636 $1,416.36
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP12N60C-ND
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Cantidad disponible 946
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Stock en fábrica ?: 4,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQP12N60C

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Descripción MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 12 A (Tc) 225 W (Tc) TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos FQP12N60C
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 14/May/2008
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 650 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2290pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 225 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

03:10:46 10/23/2018