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FQD4P40TM Canal P Montaje en superficie 400V 2.7 A (Tc) 2.5 W (Ta), 50 W (Tc) D-Pak
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1 2.46000 $2.46
10 2.23000 $22.30
100 1.80470 $180.47
500 1.41774 $708.87
1,000 1.18555 $1,185.55
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQD4P40TMCT-ND
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Cantidad disponible 9,664
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQD4P40TM

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Descripción MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 400V 2.7 A (Tc) 2.5 W (Ta), 50 W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos FQD4P40
Diseño/especificación de PCN Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.1 Ohm a 1.35A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 680pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 50 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQD4P40TM-ND
FQD4P40TMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQD4P40TMTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
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  • Cantidad mínima: 1
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06:58:23 3/25/2019