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FQD3P50TM Canal P Montaje en superficie 500V 2.1 A (Tc) 2.5 W (Ta), 50 W (Tc) D-Pak
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1 2.30000 $2.30
10 2.07800 $20.78
100 1.67760 $167.76
500 1.31362 $656.81
1,000 1.09525 $1,095.25
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQD3P50TMCT-ND
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Cantidad disponible 6,122
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 6,245
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQD3P50TM

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Descripción MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 500V 2.1 A (Tc) 2.5 W (Ta), 50 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.9 Ohm a 1.05 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 660pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 50 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQD3P50TMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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12:34:51 11/14/2018