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FQD3N60CTM-WS Canal N Montaje en superficie 600V 2.4 A (Tc) 50W (Tc) D-Pak
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1 1.08000 $1.08
10 0.96800 $9.68
100 0.76990 $76.99
500 0.60266 $301.33
1,000 0.48102 $481.02
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQD3N60CTM-WSCT-ND
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Cantidad disponible 14,403
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQD3N60CTM-WS

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Descripción MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 2.4 A (Tc) 50W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos FQD3N60CTM_WS
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 14/May/2008
Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4Ohm a 1.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 565pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQD3N60CTM-WSCT
FQD3N60CTM_WSCT
FQD3N60CTM_WSCT-ND
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQD3N60CTM-WSTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 12,500 - Inmediata
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23:27:14 4/20/2019