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FQD1N80TM Canal N Montaje en superficie 800V 1 A (Tc) 2.5 W (Ta), 45 W (Tc) D-Pak
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10 0.87800 $8.78
100 0.67730 $67.73
500 0.50168 $250.84
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQD1N80TMCT-ND
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Cantidad disponible 21,930
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQD1N80TM

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Descripción MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 800V 1 A (Tc) 2.5 W (Ta), 45 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 195pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQD1N80TMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQD1N80TMTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 20,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 21,930 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

14:55:25 10/20/2018