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FQD11P06TM Canal P Montaje en superficie 60V 9.4 A (Tc) 2.5 W (Ta), 38 W (Tc) D-Pak
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1 1.02000 $1.02
10 0.89200 $8.92
100 0.69340 $69.34
500 0.51892 $259.46
1,000 0.41921 $419.21
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQD11P06TMCT-ND
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Cantidad disponible 30,019
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQD11P06TM

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Descripción MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 9.4 A (Tc) 2.5 W (Ta), 38 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 185 mOhm a 4.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 550pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 38 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQD11P06TMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQD11P06TMTR-ND
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22:49:03 11/14/2018