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FQD10N20CTM Canal N Montaje en superficie 200V 7.8 A (Tc) 50 W (Tc) D-Pak
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1 0.85000 $0.85
10 0.75100 $7.51
100 0.58430 $58.43
500 0.43918 $219.59
1,000 0.35624 $356.24
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQD10N20CTMCT-ND
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Cantidad disponible 11,439
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQD10N20CTM

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Descripción MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 7.8 A (Tc) 50 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 360 mOhm a 3.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQD10N20CTMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQD10N20CTMTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
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  • Precio unitario: $0.31568
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,439 - Inmediata
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13:49:05 12/12/2018