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FQB5N90TM Canal N Montaje en superficie 900V 5.4 A (Tc) 3.13 W (Ta), 158 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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10 2.35600 $23.56
100 1.90590 $190.59
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQB5N90TMCT-ND
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Cantidad disponible 5,300
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQB5N90TM

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Descripción MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 900V 5.4 A (Tc) 3.13 W (Ta), 158 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.3 Ohm a 2.7A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1550pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.13 W (Ta), 158 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQB5N90TMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQB5N90TMTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 4,800 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.32593
  • Digi-Reel® ? : FQB5N90TMDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,300 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

00:48:43 3/20/2019