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FQB55N10TM Canal N Montaje en superficie 100V 55 A (Tc) 3.75 W (Ta), 155 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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1 2.99000 $2.99
10 2.69700 $26.97
100 2.16710 $216.71
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQB55N10TMCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQB55N10TM

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Descripción MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 55 A (Tc) 3.75 W (Ta), 155 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 55 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 26 mOhm a 27.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2730pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 155 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • FDB8860CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQB55N10TMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQB55N10TMTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.47748
  • Digi-Reel® ? : FQB55N10TMDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,786 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

16:46:45 11/12/2018