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FQB27P06TM Canal P Montaje en superficie 60V 27 A (Tc) 3.75 W (Ta), 120 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQB27P06TMCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQB27P06TM

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Descripción MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 27 A (Tc) 3.75 W (Ta), 120 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 13.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.75 W (Ta), 120 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQB27P06TMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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06:58:37 11/18/2018