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FQB1P50TM Canal P Montaje en superficie 500V 1.5 A (Tc) 3.13 W (Ta), 63 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQB1P50TMCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQB1P50TM

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Descripción MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 500V 1.5 A (Tc) 3.13 W (Ta), 63 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.5 Ohm a 750 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.13 W (Ta), 63 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQB1P50TMCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FQB1P50TMTR-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,577 - Inmediata
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13:54:18 10/23/2018