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FQA62N25C Canal N Orificio pasante 250V 62 A (Tc) 298W (Tc) TO-3PN
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.13000 $6.13
10 5.54200 $55.42
25 5.28400 $132.10
100 4.38190 $438.19
250 4.12416 $1,031.04
500 3.86640 $1,933.20
1,000 3.60864 $3,608.64
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FQA62N25C

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key FQA62N25CFS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FQA62N25C
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Descripción MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 62 A (Tc) 298W (Tc) TO-3PN

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Documentos y medios
Hojas de datos FQA62N25C
Información de RoHS Material Declaration FQA62N25C
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 62 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 35mOhm a 31A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6280pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 298W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 450
Otros nombres FQA62N25C-ND
FQA62N25CFS