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FQA40N25 Canal N Orificio pasante 250V 40 A (Tc) 280 W (Tc) TO-3PN
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1 4.44000 $4.44
10 3.96600 $39.66
450 2.93467 $1,320.60
900 2.37947 $2,141.52
1,350 2.22084 $2,998.13
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQA40N25FS-ND
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Cantidad disponible 287
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQA40N25

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Descripción MOSFET N-CH 250V 40A TO-3P
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Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 40 A (Tc) 280 W (Tc) TO-3PN

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Documentos y medios
Hojas de datos FQA40N25
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 280 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • FDA33N25-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450
Otros nombres FQA40N25-ND
FQA40N25FS

01:04:59 10/23/2018