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FQA32N20C Canal N Orificio pasante 200V 32 A (Tc) 204 W (Tc) TO-3PN
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.36000 $2.36
10 2.13400 $21.34
450 1.52460 $686.07
900 1.20443 $1,083.99
1,350 1.10533 $1,492.20
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQA32N20C-ND
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Cantidad disponible 403
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FQA32N20C

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Descripción MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P
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Plazo estándar del fabricante 5 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 32 A (Tc) 204 W (Tc) TO-3PN

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Documentos y medios
Hojas de datos FQA32N20C
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 82 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2220pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 204 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $3.70000
  • FQA36P15-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450

00:58:38 10/21/2018