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FDT439N Canal N Montaje en superficie 30V 6.3 A (Ta) 3 W (Ta) SOT-223-4
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.84000 $0.84
10 0.73700 $7.37
100 0.56840 $56.84
500 0.42102 $210.51
1,000 0.33681 $336.81

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDT439NCT-ND
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Cantidad disponible 41,055
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDT439N

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Descripción MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223
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Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 6.3 A (Ta) 3 W (Ta) SOT-223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos FDT439N
MA04A Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 6.3 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 500pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDT439NCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 41,455 - Inmediata
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14:14:43 11/14/2018