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FDT434P Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Ta) 3 W (Ta) SOT-223-4
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1 0.76000 $0.76
10 0.66700 $6.67
100 0.51460 $51.46
500 0.38116 $190.58

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDT434PCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDT434P

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Descripción MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Ta) 3 W (Ta) SOT-223-4

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Documentos y medios
Hojas de datos FDT434P
MA04A Pkg Drawing
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Devices EOL 126/Jul/2018
Diseño/especificación de PCN Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Modelos EDA/CAD FDT434P by SnapEDA
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1187pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $0.25000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDT434PCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : FDT434PTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.26828

19:08:02 11/16/2018