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FDS9958 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 60 V 2.9 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC
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1 1.25000 $1.25
10 1.10700 $11.07
100 0.87790 $87.79
500 0.68442 $342.21
1,000 0.54369 $543.69
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS9958CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS9958

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Descripción MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 60 V 2.9 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS9958
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.9 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 105 mOhm a 2.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1020 pF a 30 V
Potencia máxima 900 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS9958CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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06:05:49 12/18/2018