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FDS9958 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 60V 2.9A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC
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2,758 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.99000 $0.99
10 0.88300 $8.83
25 0.83800 $20.95
100 0.62860 $62.86
250 0.62260 $155.65
500 0.53278 $266.39
1,000 0.43401 $434.01
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : FDS9958TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.41556
  • Digi-Reel®  : FDS9958DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,758 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : FDS9958-F085TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500  Agotado 
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.78536
  • Cinta cortada (CT)  : FDS9958-F085CT-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado 
  • Cantidad disponible: 12,464 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.73000
  • Digi-Reel®  : FDS9958-F085DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado 
  • Cantidad disponible: 12,464 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
Número de pieza de Digi-Key FDS9958CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante FDS9958
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Descripción MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
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Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 60V 2.9A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS9958
Información de RoHS Material Declaration FDS9958
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.9A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 105mOhm a 2.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1020pF a 30V
Potencia máxima 900mW
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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