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FDS9926A Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 6.5 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC
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1 0.68000 $0.68
10 0.59800 $5.98
100 0.46100 $46.10
500 0.34148 $170.74
1,000 0.27319 $273.19
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS9926ACT-ND
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Cantidad disponible 29,866
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 30,000
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS9926A

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Descripción MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 6.5 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS9926A
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Assembly 23/Apr/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 6.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650 pF a 10 V
Potencia máxima 900 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS9926ACT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 29,866 - Inmediata
    30,000 - Stock en fábrica ?
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06:55:53 12/12/2018