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FDS6982AS Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 6.3 A, 8.6 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC
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1 1.06000 $1.06
10 0.93000 $9.30
100 0.72190 $72.19
500 0.53966 $269.83
1,000 0.43551 $435.51
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDS6982ASCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

FDS6982AS

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 6.3 A, 8.6 A 900 mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos FDS6982AS
Diseño/especificación de PCN Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
Ensamble/origen de PCN FDSYYY 18/Jun/2018
Embalaje de PCN Mult Devices 24/Oct/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante ON Semiconductor
Serie PowerTrench®, SyncFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.3 A, 8.6 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 28 mOhm a 6.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 610 pF a 10 V
Potencia máxima 900 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FDS6982ASCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 20,437 - Inmediata
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20:56:02 11/13/2018